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TOSHIBA SSM3J35CT,L3F(T
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SSM3J35CT,L3F |
| Référence EBEE | E8396019 |
| Boîtier | CST-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 100mA 100mW 8Ω@4V,50mA 1V@1mA 1 Piece P-Channel CST-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1253 | $ 0.6265 |
| 50+ | $0.1105 | $ 5.5250 |
| 150+ | $0.1042 | $ 15.6300 |
| 500+ | $0.0963 | $ 48.1500 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TOSHIBA SSM3J35CT,L3F | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 8Ω@4V | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.5pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 12.2pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10.4pF |
Guide d’achat
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| 5+ | $0.1253 | $ 0.6265 |
| 50+ | $0.1105 | $ 5.5250 |
| 150+ | $0.1042 | $ 15.6300 |
| 500+ | $0.0963 | $ 48.1500 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
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