Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

TOSHIBA GT60M324(Q)


Fabricant
Référence Fabricant
GT60M324(Q)
Référence EBEE
E8396027
Boîtier
TO-3P-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
254W 60A 900V TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.0981$ 2.0981
10+$2.0572$ 20.5720
30+$2.0307$ 60.9210
100+$2.0040$ 200.4000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueTOSHIBA GT60M324(Q)
RoHS
Température de fonctionnement-
Type-
Courant du collecteur (Ic)60A
Dissipation de puissance (Pd)254W
Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off))360ns
Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on))310ns
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)900V
Capacité d'entrée (Cies-Vce)3.6nF@10V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)7.5V@60mA
Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge)-
Délai de récupération inverse de la diode (Trr)800ns
Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff)-
Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon)-
Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge)1.7V@60A,15V
Tension avancée de diode (Vf-If)1.3V@15A

Guide d’achat

Développer