| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GT60M324(Q) |
| Référence EBEE | E8396027 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 254W 60A 900V TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0981 | $ 2.0981 |
| 10+ | $2.0572 | $ 20.5720 |
| 30+ | $2.0307 | $ 60.9210 |
| 100+ | $2.0040 | $ 200.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | TOSHIBA GT60M324(Q) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 254W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 360ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 310ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 900V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | 3.6nF@10V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 7.5V@60mA | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | - | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 800ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | - | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge) | 1.7V@60A,15V | |
| Tension avancée de diode (Vf-If) | 1.3V@15A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0981 | $ 2.0981 |
| 10+ | $2.0572 | $ 20.5720 |
| 30+ | $2.0307 | $ 60.9210 |
| 100+ | $2.0040 | $ 200.4000 |
