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TOSHIBA GT30J122A(STA1,E,D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GT30J122A(STA1,E,D |
| Référence EBEE | E8435817 |
| Boîtier | TO-3PN |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-3PN IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 1+ | $1.7245 | $ 1.7245 |
| 10+ | $1.4665 | $ 14.6650 |
| 25+ | $1.1859 | $ 29.6475 |
| 100+ | $1.0199 | $ 101.9900 |
| 500+ | $0.9460 | $ 473.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | TOSHIBA GT30J122A(STA1,E,D | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Td(off) | 500ns | |
| Td(on) | 300ns | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.5nF |
Guide d’achat
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