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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IPG20N06S4L-26(TOKMAS)) |
| Référence EBEE | E819626230 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 40A 9.6mΩ 55W 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2949 | $ 1.4745 |
| 50+ | $0.2333 | $ 11.6650 |
| 150+ | $0.2069 | $ 31.0350 |
| 490+ | $0.1603 | $ 78.5470 |
| 2450+ | $0.1456 | $ 356.7200 |
| 4900+ | $0.1368 | $ 670.3200 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Tokmas IPG20N06S4L-26(TOKMAS)) | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 9.6mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 16pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2949 | $ 1.4745 |
| 50+ | $0.2333 | $ 11.6650 |
| 150+ | $0.2069 | $ 31.0350 |
| 490+ | $0.1603 | $ 78.5470 |
| 2450+ | $0.1456 | $ 356.7200 |
| 4900+ | $0.1368 | $ 670.3200 |
