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Tokmas IPB025N10N3G(TOKMAS)
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IPB025N10N3G(TOKMAS) |
| Référence EBEE | E821547647 |
| Boîtier | TO-263-7L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 280A 2.3mΩ@10V,20A 1 N-channel TO-263-7L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $1.7576 | $ 1.7576 |
| 10+ | $1.5036 | $ 15.0360 |
| 30+ | $1.3448 | $ 40.3440 |
| 100+ | $1.1575 | $ 115.7500 |
| 500+ | $1.0844 | $ 542.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Tokmas IPB025N10N3G(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 286W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 280A | |
| Gate Charge(Qg) | 131nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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