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Tokmas FQD7P20TM
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQD7P20TM |
| Référence EBEE | E85250729 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 10A 35W 900mΩ@10V,5A 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4485 | $ 0.4485 |
| 10+ | $0.3585 | $ 3.5850 |
| 30+ | $0.3213 | $ 9.6390 |
| 100+ | $0.2732 | $ 27.3200 |
| 500+ | $0.2142 | $ 107.1000 |
| 1000+ | $0.2002 | $ 200.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Tokmas FQD7P20TM | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 900mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 960pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4485 | $ 0.4485 |
| 10+ | $0.3585 | $ 3.5850 |
| 30+ | $0.3213 | $ 9.6390 |
| 100+ | $0.2732 | $ 27.3200 |
| 500+ | $0.2142 | $ 107.1000 |
| 1000+ | $0.2002 | $ 200.2000 |
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