| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI60N120SM |
| Référence EBEE | E8967735 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 60A 40mΩ@40V,20A 330W 2.6V@10mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8917 | $ 4.8917 |
| 10+ | $4.2948 | $ 42.9480 |
| 30+ | $3.3866 | $ 101.5980 |
| 90+ | $3.0294 | $ 272.6460 |
| 510+ | $2.8627 | $ 1459.9770 |
| 1020+ | $2.7880 | $ 2843.7600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Tokmas CI60N120SM | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 52mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 37pF | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8917 | $ 4.8917 |
| 10+ | $4.2948 | $ 42.9480 |
| 30+ | $3.3866 | $ 101.5980 |
| 90+ | $3.0294 | $ 272.6460 |
| 510+ | $2.8627 | $ 1459.9770 |
| 1020+ | $2.7880 | $ 2843.7600 |
