| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSC320N20NS3G(TOKMAS) |
| Référence EBEE | E819626238 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 42A 150W 28mΩ 1 N-channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3204 | $ 1.3204 |
| 10+ | $1.0939 | $ 10.9390 |
| 30+ | $0.9702 | $ 29.1060 |
| 100+ | $0.7678 | $ 76.7800 |
| 500+ | $0.7052 | $ 352.6000 |
| 1000+ | $0.6763 | $ 676.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Tokmas BSC320N20NS3G(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 32mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.598nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 124pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3204 | $ 1.3204 |
| 10+ | $1.0939 | $ 10.9390 |
| 30+ | $0.9702 | $ 29.1060 |
| 100+ | $0.7678 | $ 76.7800 |
| 500+ | $0.7052 | $ 352.6000 |
| 1000+ | $0.6763 | $ 676.3000 |
