| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CSD18532KCS |
| Référence EBEE | E875173 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 100A 3.3mΩ@10V,100A 250W 1.8V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6455 | $ 2.6455 |
| 10+ | $2.2836 | $ 22.8360 |
| 50+ | $2.0575 | $ 102.8750 |
| 100+ | $1.8259 | $ 182.5900 |
| 500+ | $1.7209 | $ 860.4500 |
| 1000+ | $1.6757 | $ 1675.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | TI CSD18532KCS | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.3mΩ@10V,100A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.8V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 14pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4680pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 44nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6455 | $ 2.6455 |
| 10+ | $2.2836 | $ 22.8360 |
| 50+ | $2.0575 | $ 102.8750 |
| 100+ | $1.8259 | $ 182.5900 |
| 500+ | $1.7209 | $ 860.4500 |
| 1000+ | $1.6757 | $ 1675.7000 |
