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Techcode Semicon TDM3512


Fabricant
Référence Fabricant
TDM3512
Référence EBEE
E8380220
Boîtier
DFN-8(3x3)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
None
Description
20V 50A 3.4mΩ@4.5V,13.5A 35W 500mV@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
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6000+$0.2022$ 1213.2000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueTechcode TDM3512
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)7mΩ@1.8V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)525pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Current - Continuous Drain(Id)50A
Ciss-Input Capacitance4.91nF
Output Capacitance(Coss)730pF
Gate Charge(Qg)[email protected]

Guide d’achat

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