| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TPNTA4153NT1G |
| Référence EBEE | E82875154 |
| Boîtier | SOT-523 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 800mA 300mΩ@2.5V,450mA 280mW 1.1V@250uA 1 N-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0409 | $ 0.4090 |
| 100+ | $0.0325 | $ 3.2500 |
| 300+ | $0.0283 | $ 8.4900 |
| 3000+ | $0.0240 | $ 72.0000 |
| 6000+ | $0.0215 | $ 129.0000 |
| 9000+ | $0.0203 | $ 182.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC TPNTA4153NT1G | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 300mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0409 | $ 0.4090 |
| 100+ | $0.0325 | $ 3.2500 |
| 300+ | $0.0283 | $ 8.4900 |
| 3000+ | $0.0240 | $ 72.0000 |
| 6000+ | $0.0215 | $ 129.0000 |
| 9000+ | $0.0203 | $ 182.7000 |
