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TECH PUBLIC TPM2009EP3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TPM2009EP3 |
| Référence EBEE | E82844728 |
| Boîtier | DFN1006-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 660mA 700mΩ@2.5V,0.8A 100mW 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0393 | $ 0.7860 |
| 200+ | $0.0316 | $ 6.3200 |
| 600+ | $0.0277 | $ 16.6200 |
| 2000+ | $0.0249 | $ 49.8000 |
| 10000+ | $0.0200 | $ 200.0000 |
| 20000+ | $0.0188 | $ 376.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC TPM2009EP3 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 950mΩ@1.8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0393 | $ 0.7860 |
| 200+ | $0.0316 | $ 6.3200 |
| 600+ | $0.0277 | $ 16.6200 |
| 2000+ | $0.0249 | $ 49.8000 |
| 10000+ | $0.0200 | $ 200.0000 |
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