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TECH PUBLIC SI2333DDS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2333DDS |
| Référence EBEE | E85122041 |
| Boîtier | SOT-23-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 6A 28mΩ@2.5V,5A 1.8W 400mV@250uA SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1276 | $ 0.6380 |
| 50+ | $0.1026 | $ 5.1300 |
| 150+ | $0.0901 | $ 13.5150 |
| 500+ | $0.0808 | $ 40.4000 |
| 3000+ | $0.0632 | $ 189.6000 |
| 6000+ | $0.0595 | $ 357.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC SI2333DDS | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 28mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 210pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 400mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.73nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 150+ | $0.0901 | $ 13.5150 |
| 500+ | $0.0808 | $ 40.4000 |
| 3000+ | $0.0632 | $ 189.6000 |
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