| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTGS5120PT1G |
| Référence EBEE | E82959860 |
| Boîtier | SOT-23-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 2.4A 8.8W 95mΩ@10V,3A 1.5V@250uA SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1313 | $ 0.6565 |
| 50+ | $0.1147 | $ 5.7350 |
| 150+ | $0.1076 | $ 16.1400 |
| 500+ | $0.0986 | $ 49.3000 |
| 3000+ | $0.0947 | $ 284.1000 |
| 6000+ | $0.0923 | $ 553.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC NTGS5120PT1G | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 118mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 637pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17.7nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1313 | $ 0.6565 |
| 50+ | $0.1147 | $ 5.7350 |
| 150+ | $0.1076 | $ 16.1400 |
| 500+ | $0.0986 | $ 49.3000 |
| 3000+ | $0.0947 | $ 284.1000 |
| 6000+ | $0.0923 | $ 553.8000 |
