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TECH PUBLIC NTD5865NLT4G


Fabricant
Référence Fabricant
NTD5865NLT4G
Référence EBEE
E85350898
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS
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10+$0.3557$ 3.5570
30+$0.3144$ 9.4320
100+$0.2636$ 26.3600
500+$0.2398$ 119.9000
1000+$0.2255$ 225.5000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueTECH PUBLIC NTD5865NLT4G
RoHS
RDS (on)20mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)120pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation85W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)50A
Ciss-Input Capacitance2.05nF
Gate Charge(Qg)50nC@30V

Guide d’achat

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