| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRLR2905 |
| Référence EBEE | E85350899 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2733 | $ 1.3665 |
| 50+ | $0.2137 | $ 10.6850 |
| 150+ | $0.1881 | $ 28.2150 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2500+ | $0.1420 | $ 355.0000 |
| 5000+ | $0.1335 | $ 667.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC IRLR2905 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 20mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.05nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@30V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2733 | $ 1.3665 |
| 50+ | $0.2137 | $ 10.6850 |
| 150+ | $0.1881 | $ 28.2150 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2500+ | $0.1420 | $ 355.0000 |
| 5000+ | $0.1335 | $ 667.5000 |
