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TECH PUBLIC DMG1012T
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DMG1012T |
| Référence EBEE | E82830301 |
| Boîtier | SOT-523 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 800mA 250mΩ@4.5V 280mW 750mV@250uA 1 N-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0206 | $ 0.4120 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
| 21000+ | $0.0098 | $ 205.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TECH PUBLIC DMG1012T | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 300mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
50660 Stock for Shipping Fast
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0206 | $ 0.4120 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
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