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STMicroelectronics STY60NM50
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STY60NM50 |
| Référence EBEE | E87021456 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 60A 560W 0.045Ω@10V,30A 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STY60NM50 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 200pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 560W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 980pF | |
| Gate Charge(Qg) | 266nC@400V |
Guide d’achat
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