| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STY139N65M5 |
| Référence EBEE | E8501099 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 130A 0.017Ω@10V,65A 625W 3V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $41.2029 | $ 41.2029 |
| 30+ | $39.6799 | $ 1190.3970 |
| 100+ | $39.2237 | $ 3922.3700 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STY139N65M5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 130A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.017Ω@10V,65A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 15.6nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 363nC@520V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $41.2029 | $ 41.2029 |
| 30+ | $39.6799 | $ 1190.3970 |
| 100+ | $39.2237 | $ 3922.3700 |
