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STMicroelectronics STY112N65M5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STY112N65M5 |
| Référence EBEE | E82965377 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 96A 19mΩ@10V,48A 625W 2.1V@250uA TO-247-3 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STY112N65M5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 96A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 19mΩ@10V,48A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 16870pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 350nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
