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STMicroelectronics STY100NM60N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STY100NM60N |
| Référence EBEE | E817561196 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 98A 29mΩ@10V,49A 625W 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $55.8538 | $ 55.8538 |
| 210+ | $22.2876 | $ 4680.3960 |
| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STY100NM60N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 98A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 29mΩ@10V,49A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 9.6nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 330nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $55.8538 | $ 55.8538 |
| 210+ | $22.2876 | $ 4680.3960 |
| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
