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STMicroelectronics STW63N65DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STW63N65DM2 |
| Référence EBEE | E8501093 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 60A 0.042Ω@10V,30A 446W 3V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7260 | $ 5.7260 |
| 10+ | $4.9286 | $ 49.2860 |
| 30+ | $4.4548 | $ 133.6440 |
| 90+ | $3.9763 | $ 357.8670 |
| 510+ | $3.7555 | $ 1915.3050 |
| 990+ | $3.6558 | $ 3619.2420 |
| 2010+ | $3.6114 | $ 7258.9140 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STW63N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 42mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 446W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@520V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7260 | $ 5.7260 |
| 10+ | $4.9286 | $ 49.2860 |
| 30+ | $4.4548 | $ 133.6440 |
| 90+ | $3.9763 | $ 357.8670 |
| 510+ | $3.7555 | $ 1915.3050 |
| 990+ | $3.6558 | $ 3619.2420 |
| 2010+ | $3.6114 | $ 7258.9140 |
