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STMicroelectronics STW56N65DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STW56N65DM2 |
| Référence EBEE | E8165942 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 48A 65mΩ@10V,24A 360W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STW56N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 48A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,24A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 360W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.1nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 88nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
