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STMicroelectronics STW4N150
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STW4N150 |
| Référence EBEE | E8412183 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.5kV 4A 7Ω@10V,2A 160W 3V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5863 | $ 6.5863 |
| 10+ | $5.7762 | $ 57.7620 |
| 30+ | $5.1799 | $ 155.3970 |
| 100+ | $4.7649 | $ 476.4900 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STW4N150 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.5kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 7Ω@10V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 160W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 50nC@600V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5863 | $ 6.5863 |
| 10+ | $5.7762 | $ 57.7620 |
| 30+ | $5.1799 | $ 155.3970 |
| 100+ | $4.7649 | $ 476.4900 |
