| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STW15N95K5 |
| Référence EBEE | E8501075 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 950V 12A 0.5Ω@10V,6A 170W 5V@100uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4545 | $ 3.4545 |
| 10+ | $2.9366 | $ 29.3660 |
| 30+ | $2.6277 | $ 78.8310 |
| 100+ | $2.3173 | $ 231.7300 |
| 500+ | $2.1732 | $ 1086.6000 |
| 1000+ | $2.1082 | $ 2108.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STW15N95K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 500mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 950V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 855pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4545 | $ 3.4545 |
| 10+ | $2.9366 | $ 29.3660 |
| 30+ | $2.6277 | $ 78.8310 |
| 100+ | $2.3173 | $ 231.7300 |
| 500+ | $2.1732 | $ 1086.6000 |
| 1000+ | $2.1082 | $ 2108.2000 |
