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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STS5NF60L |
| Référence EBEE | E8457490 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 5A 0.055Ω@10V,2.5A 2.5W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3697 | $ 0.3697 |
| 10+ | $0.3408 | $ 3.4080 |
| 30+ | $0.3226 | $ 9.6780 |
| 100+ | $0.3040 | $ 30.4000 |
| 500+ | $0.2956 | $ 147.8000 |
| 1000+ | $0.2918 | $ 291.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STS5NF60L | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 55mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@48V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3697 | $ 0.3697 |
| 10+ | $0.3408 | $ 3.4080 |
| 30+ | $0.3226 | $ 9.6780 |
| 100+ | $0.3040 | $ 30.4000 |
| 500+ | $0.2956 | $ 147.8000 |
| 1000+ | $0.2918 | $ 291.8000 |
