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STMicroelectronics STP6N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP6N65M2 |
| Référence EBEE | E87089892 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 4A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5197 | $ 1.5197 |
| 200+ | $0.6065 | $ 121.3000 |
| 500+ | $0.5856 | $ 292.8000 |
| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP6N65M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.65pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 226pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 9.8nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5197 | $ 1.5197 |
| 200+ | $0.6065 | $ 121.3000 |
| 500+ | $0.5856 | $ 292.8000 |
| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
