| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP65NF06 |
| Référence EBEE | E8361037 |
| Boîtier | TO-220AB-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 60A 110W 11.5mΩ@10V,30A 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9175 | $ 0.9175 |
| 10+ | $0.7619 | $ 7.6190 |
| 50+ | $0.6859 | $ 34.2950 |
| 100+ | $0.6080 | $ 60.8000 |
| 400+ | $0.5628 | $ 225.1200 |
| 800+ | $0.5392 | $ 431.3600 |
| 2000+ | $0.5320 | $ 1064.0000 |
| 4000+ | $0.5284 | $ 2113.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP65NF06 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 135pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.7nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 54nC@30V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9175 | $ 0.9175 |
| 10+ | $0.7619 | $ 7.6190 |
| 50+ | $0.6859 | $ 34.2950 |
| 100+ | $0.6080 | $ 60.8000 |
| 400+ | $0.5628 | $ 225.1200 |
| 800+ | $0.5392 | $ 431.3600 |
| 2000+ | $0.5320 | $ 1064.0000 |
| 4000+ | $0.5284 | $ 2113.6000 |
