| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP4LN80K5 |
| Référence EBEE | E8501040 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6018 | $ 0.6018 |
| 10+ | $0.4899 | $ 4.8990 |
| 50+ | $0.4421 | $ 22.1050 |
| 100+ | $0.3817 | $ 38.1700 |
| 500+ | $0.3550 | $ 177.5000 |
| 1000+ | $0.3391 | $ 339.1000 |
| 2000+ | $0.3356 | $ 671.2000 |
| 4000+ | $0.3337 | $ 1334.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.3pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 122pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 3.7nC@640V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6018 | $ 0.6018 |
| 10+ | $0.4899 | $ 4.8990 |
| 50+ | $0.4421 | $ 22.1050 |
| 100+ | $0.3817 | $ 38.1700 |
| 500+ | $0.3550 | $ 177.5000 |
| 1000+ | $0.3391 | $ 339.1000 |
| 2000+ | $0.3356 | $ 671.2000 |
| 4000+ | $0.3337 | $ 1334.8000 |
