| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP40N65M2 |
| Référence EBEE | E8501037 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 32A 0.099Ω@10V,16A 250W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5774 | $ 2.5774 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP40N65M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 32A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.099Ω@10V,16A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.7pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.355nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 56.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5774 | $ 2.5774 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
