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STMicroelectronics STP33N60DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP33N60DM2 |
| Référence EBEE | E8672104 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 24A 130mΩ@10V,12A 190W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7773 | $ 3.7773 |
| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP33N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 24A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 130mΩ@10V,12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 190W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.87nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 43nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7773 | $ 3.7773 |
| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
