| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP2N95K5 |
| Référence EBEE | E8501032 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 950V 2A 4.2Ω@10V,1A 45W 4V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4199 | $ 1.4199 |
| 10+ | $1.3927 | $ 13.9270 |
| 30+ | $1.3763 | $ 41.2890 |
| 100+ | $1.3582 | $ 135.8200 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP2N95K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 950V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.2Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.5pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 105pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 10nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4199 | $ 1.4199 |
| 10+ | $1.3927 | $ 13.9270 |
| 30+ | $1.3763 | $ 41.2890 |
| 100+ | $1.3582 | $ 135.8200 |
