| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP240N10F7 |
| Référence EBEE | E85241016 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 110A 300W 2.85mΩ@10V,60A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8428 | $ 2.8428 |
| 10+ | $2.4285 | $ 24.2850 |
| 50+ | $2.0884 | $ 104.4200 |
| 100+ | $1.8396 | $ 183.9600 |
| 500+ | $1.7252 | $ 862.6000 |
| 1000+ | $1.6726 | $ 1672.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP240N10F7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.85mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 217pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 11.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@50V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8428 | $ 2.8428 |
| 10+ | $2.4285 | $ 24.2850 |
| 50+ | $2.0884 | $ 104.4200 |
| 100+ | $1.8396 | $ 183.9600 |
| 500+ | $1.7252 | $ 862.6000 |
| 1000+ | $1.6726 | $ 1672.6000 |
