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STMicroelectronics STP18NM80
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP18NM80 |
| Référence EBEE | E83290225 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 17A 295mΩ@10V,8.5A 190W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP18NM80 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 17A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 295mΩ@10V,8.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 190W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 29pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.07nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 70nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
