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STMicroelectronics STO68N65DM6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STO68N65DM6 |
| Référence EBEE | E83291323 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 55A 53mΩ@10V,27.5A 240W 4.75V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STO68N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 55A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 53mΩ@10V,27.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 240W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.5pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3528pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
