| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STN1NF20 |
| Référence EBEE | E8722375 |
| Boîtier | SOT-223 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 1A 1.1Ω@10V,500mA 2W 4V@250uA 1 N-channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4987 | $ 0.4987 |
| 10+ | $0.4863 | $ 4.8630 |
| 30+ | $0.4786 | $ 14.3580 |
| 100+ | $0.4709 | $ 47.0900 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STN1NF20 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 5.7nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4987 | $ 0.4987 |
| 10+ | $0.4863 | $ 4.8630 |
| 30+ | $0.4786 | $ 14.3580 |
| 100+ | $0.4709 | $ 47.0900 |
