| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STL8N6F7 |
| Référence EBEE | E83289550 |
| Boîtier | PowerVDFN-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 8A 0.023Ω@10V,4A 60W 2V@250uA 1 N-channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1669 | $ 1.1669 |
| 200+ | $0.4522 | $ 90.4400 |
| 500+ | $0.4359 | $ 217.9500 |
| 1000+ | $0.4285 | $ 428.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STL8N6F7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.023Ω@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 16pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 420pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8nC |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1669 | $ 1.1669 |
| 200+ | $0.4522 | $ 90.4400 |
| 500+ | $0.4359 | $ 217.9500 |
| 1000+ | $0.4285 | $ 428.5000 |
