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STMicroelectronics STL28N60M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STL28N60M2 |
| Référence EBEE | E83276630 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 19A 140W 0.165Ω@10V,9.5A 2V@250uA MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8782 | $ 2.8782 |
| 200+ | $1.1144 | $ 222.8800 |
| 500+ | $1.0754 | $ 537.7000 |
| 1000+ | $1.0558 | $ 1055.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STL28N60M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 19A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.165Ω@10V,9.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 140W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.44nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 36nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8782 | $ 2.8782 |
| 200+ | $1.1144 | $ 222.8800 |
| 500+ | $1.0754 | $ 537.7000 |
| 1000+ | $1.0558 | $ 1055.8000 |
