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STMicroelectronics STL18N65M2


Fabricant
Référence Fabricant
STL18N65M2
Référence EBEE
E82970653
Boîtier
VDFN-8-Power
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
650V 8A 57W 0.365Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-Channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.1967$ 1.1967
10+$1.0891$ 10.8910
30+$1.0297$ 30.8910
100+$0.9622$ 96.2200
500+$0.9317$ 465.8500
1000+$0.9188$ 918.8000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueSTMicroelectronics STL18N65M2
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)365mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)1.2pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation57W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance764pF
Gate Charge(Qg)21.5nC@10V

Guide d’achat

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