Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STHU32N65DM6AG |
| Référence EBEE | E83278146 |
| Boîtier | TO-263-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 37A 83mΩ@10V,18.5A 320W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-263-8 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>10 En stock pour livraison rapide
10 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STHU32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 97mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.211nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52.6nC@10V |
Guide d’achat
Développer
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
