| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STGWT30HP65FB |
| Référence EBEE | E82917578 |
| Boîtier | TO-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2208 | $ 1.2208 |
| 10+ | $1.0152 | $ 10.1520 |
| 30+ | $0.9012 | $ 27.0360 |
| 100+ | $0.7727 | $ 77.2700 |
| 500+ | $0.7164 | $ 358.2000 |
| 1000+ | $0.6907 | $ 690.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STGWT30HP65FB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 260W | |
| Gate Charge(Qg) | 149nC@15V | |
| Td(off) | 146ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 76pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 140ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 293uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.659nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 10A | |
| Output Capacitance(Coes) | 101pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2208 | $ 1.2208 |
| 10+ | $1.0152 | $ 10.1520 |
| 30+ | $0.9012 | $ 27.0360 |
| 100+ | $0.7727 | $ 77.2700 |
| 500+ | $0.7164 | $ 358.2000 |
| 1000+ | $0.6907 | $ 690.7000 |
