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STMicroelectronics STGWA80H65DFB


Fabricant
Référence Fabricant
STGWA80H65DFB
Référence EBEE
E85268579
Boîtier
TO-247
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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6 En stock pour livraison rapide
6 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$3.1373$ 3.1373
10+$2.6690$ 26.6900
30+$2.3768$ 71.3040
90+$2.0768$ 186.9120
510+$1.9402$ 989.5020
990+$1.8815$ 1862.6850
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueSTMicroelectronics STGWA80H65DFB
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)650V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)5V@1mA
Pd - Power Dissipation469W
Gate Charge(Qg)414nC@15V
Td(off)280ns
Td(on)84ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)215pF
Reverse Recovery Time(trr)85ns
Switching Energy(Eoff)1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)2.1mJ
Input Capacitance(Cies)10.524nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)240A
Output Capacitance(Coes)385pF

Guide d’achat

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