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STMicroelectronics STGWA25H120DF2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STGWA25H120DF2 |
| Référence EBEE | E82965321 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 375W 50A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8534 | $ 4.8534 |
| 10+ | $4.1391 | $ 41.3910 |
| 30+ | $3.7046 | $ 111.1380 |
| 100+ | $3.3397 | $ 333.9700 |
| 500+ | $3.2933 | $ 1646.6500 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STGWA25H120DF2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.6V@15V,25A | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 29ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 49pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 303ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 700uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 600uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.01nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 100A | |
| Output Capacitance(Coes) | 146pF |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8534 | $ 4.8534 |
| 10+ | $4.1391 | $ 41.3910 |
| 30+ | $3.7046 | $ 111.1380 |
| 100+ | $3.3397 | $ 333.9700 |
| 500+ | $3.2933 | $ 1646.6500 |
