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STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STGW80H65DFB-4 |
| Référence EBEE | E85268573 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 469W 120A 650V FS(Field Stop) TO-247-4 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STGW80H65DFB-4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 414nC | |
| Td(off) | 336ns | |
| Td(on) | 75ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 215pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 112ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.7mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 10.524nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 385pF |
Guide d’achat
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| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
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