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STMicroelectronics STGD4M65DF2


Fabricant
Référence Fabricant
STGD4M65DF2
Référence EBEE
E8222118
Boîtier
DPAK
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueSTMicroelectronics STGD4M65DF2
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)650V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)5V@250uA
Pd - Power Dissipation68W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)15.2nC
Td(off)86ns
Td(on)12ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)8pF
Reverse Recovery Time(trr)133ns
Switching Energy(Eoff)136uJ
Turn-On Energy (Eon)40uJ
Input Capacitance(Cies)369pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)16A
Output Capacitance(Coes)24.8pF

Guide d’achat

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