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Infineon Technologies IHW15N120E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IHW15N120E1 |
| Référence EBEE | E8536117 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Fiche Technique | Infineon IHW15N120E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 156W | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC@15V | |
| Td(off) | 150ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 20pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 30uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 810pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 45A | |
| Output Capacitance(Coes) | 24pF |
Guide d’achat
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