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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IGW08T120 |
| Référence EBEE | E8536088 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8279 | $ 2.8279 |
| 10+ | $2.6955 | $ 26.9550 |
| 30+ | $2.6167 | $ 78.5010 |
| 90+ | $2.5363 | $ 228.2670 |
| 510+ | $2.5001 | $ 1275.0510 |
| 990+ | $2.4827 | $ 2457.8730 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Fiche Technique | Infineon IGW08T120 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC@15V | |
| Td(off) | 70ns | |
| Td(on) | 40ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 28pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 700uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 700uJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 36pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8279 | $ 2.8279 |
| 10+ | $2.6955 | $ 26.9550 |
| 30+ | $2.6167 | $ 78.5010 |
| 90+ | $2.5363 | $ 228.2670 |
| 510+ | $2.5001 | $ 1275.0510 |
| 990+ | $2.4827 | $ 2457.8730 |
