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Infineon Technologies IKA15N65F5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IKA15N65F5 |
| Référence EBEE | E8536139 |
| Boîtier | TO-220FP-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Fiche Technique | Infineon IKA15N65F5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 33.3W | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@15V | |
| Td(off) | 150ns | |
| Td(on) | 17ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 4pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 50ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 40uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 130uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 930pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 45A | |
| Output Capacitance(Coes) | 24pF |
Guide d’achat
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