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STMicroelectronics STGB40H65FB


Fabricant
Référence Fabricant
STGB40H65FB
Référence EBEE
E82965367
Boîtier
D2PAK
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
283W 80A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
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530 disponible pour livraison immédiate
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.3770$ 2.3770
10+$2.2328$ 22.3280
30+$2.0179$ 60.5370
100+$1.9305$ 193.0500
500+$1.8906$ 945.3000
1000+$1.8722$ 1872.2000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueSTMicroelectronics STGB40H65FB
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)650V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)5V@1mA
Pd - Power Dissipation283W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)210nC@15V
Td(off)142ns
Td(on)40ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)107pF
Switching Energy(Eoff)363uJ
Turn-On Energy (Eon)498uJ
Input Capacitance(Cies)-
Output Capacitance(Coes)198pF

Guide d’achat

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