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STMicroelectronics STGB30M65DF2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STGB30M65DF2 |
| Référence EBEE | E82970045 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 258W 60A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 1+ | $1.7284 | $ 1.7284 |
| 10+ | $1.4457 | $ 14.4570 |
| 30+ | $1.2899 | $ 38.6970 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STGB30M65DF2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 258W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 140ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 960uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 300uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
Guide d’achat
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